transistor d'efecte de camp de porta aïllada
transistor d'efecte de camp de porta aïllada
- ca transistor d'efecte de camp de porta aïllada, n m
- ca IGFET, n m sigla
- es transistor de efecto de campo de puerta aislada
- es IGFET sigla
- en insulated gate field effect transistor
- en IGFET sigla
Enginyeria i arquitectura>Enginyeria elèctrica i electrònica>Electrònica, Enginyeria i arquitectura>Enginyeria elèctrica i electrònica>Tecnologia electrònica
Definición
Transistor d'efecte de camp en què el terminal de porta està aïllat del canal mitjançant un dielèctric.
Nota
- La sigla IGFET correspon a la denominació anglesa insulated gate field effect transistor.
