Back to top
  • ca  transistor bipolar, n m
  • en  bipolar transistor

Enginyeria i arquitectura>Enginyeria elèctrica i electrònica>Electrònica, Enginyeria i arquitectura>Enginyeria elèctrica i electrònica>Tecnologia electrònica

  • ca  transistor bipolar d'heterojunció, n m
  • es  transistor bipolar de heterounión
  • en  heterojunction bipolar transistor

Enginyeria i arquitectura>Enginyeria elèctrica i electrònica>Electrònica, Enginyeria i arquitectura>Enginyeria elèctrica i electrònica>Tecnologia electrònica

Definició
Transistor bipolar la principal característica del qual és la utilització com a emissor d'un semiconductor de banda prohibida més gran que el del material de la base.
  • ca  transistor bipolar de junció, n m
  • ca  BJT, n m sigla
  • es  transistor bipolar de unión
  • es  BJT sigla
  • en  bipolar junction transistor
  • en  BJT sigla

Enginyeria i arquitectura>Enginyeria elèctrica i electrònica>Electrònica, Enginyeria i arquitectura>Enginyeria elèctrica i electrònica>Tecnologia electrònica

Definició
Dispositiu semiconductor de tres terminals, emissor, base i col·lector, utilitzat per a amplificar senyals en els circuits analògics o com a interruptor en els circuits digitals.

Nota

  • La sigla BJT correspon a la denominació anglesa bipolar junction transistor.
  • ca  transistor bipolar de porta aïllada, n m
  • ca  IGBT, n m sigla
  • es  transistor bipolar de puerta aislada
  • es  IGBT sigla
  • en  insulated gate bipolar transistor
  • en  IGBT sigla

Enginyeria i arquitectura>Enginyeria elèctrica i electrònica>Electrònica, Enginyeria i arquitectura>Enginyeria elèctrica i electrònica>Tecnologia electrònica

Definició
Dispositiu bipolar que pot controlar grans corrents amb tensions de petit valor.

Nota

  • La sigla IGBT correspon a la denominació anglesa insulated gate bipolar transistor.
  • ca  transistor d'efecte de camp, n m
  • ca  transistor unipolar, n m
  • ca  FET, n m sigla
  • es  transistor de efecto de campo
  • es  FET sigla
  • en  field effect transistor
  • en  FET sigla

Ciències>Química>Química analítica, Enginyeria i arquitectura>Enginyeria elèctrica i electrònica>Electrònica, Enginyeria i arquitectura>Enginyeria elèctrica i electrònica>Tecnologia electrònica

Definició
Dispositiu semiconductor de tres terminals, anomenats drenador, porta i sortidor.

Nota

  • La sigla FET correspon a la denominació anglesa field effect transistor.
  • ca  transistor d'efecte de camp de junció, n m
  • ca  JFET, n m sigla
  • es  transistor de efecto de campo de unión
  • es  JFET sigla
  • en  junction field effect transistor
  • en  JFET sigla

Enginyeria i arquitectura>Enginyeria elèctrica i electrònica>Electrònica, Enginyeria i arquitectura>Enginyeria elèctrica i electrònica>Tecnologia electrònica

Definició
Transistor d'efecte de camp en què el corrent de drenador a sortidor circula a través d'un canal que presenta una resistència controlada per la tensió que polaritza en inversa la junció entre la regió de porta i el canal.

Nota

  • La sigla JFET correspon a la denominació anglesa junction field effect transistor.
  • ca  transistor d'efecte de camp de porta aïllada, n m
  • ca  IGFET, n m sigla
  • es  transistor de efecto de campo de puerta aislada
  • es  IGFET sigla
  • en  insulated gate field effect transistor
  • en  IGFET sigla

Enginyeria i arquitectura>Enginyeria elèctrica i electrònica>Electrònica, Enginyeria i arquitectura>Enginyeria elèctrica i electrònica>Tecnologia electrònica

Definició
Transistor d'efecte de camp en què el terminal de porta està aïllat del canal mitjançant un dielèctric.

Nota

  • La sigla IGFET correspon a la denominació anglesa insulated gate field effect transistor.
  • ca  transistor d'efecte de camp sensible als ions, n m
  • ca  ISFET, n m sin. compl.
  • es  ISFET
  • es  transistor de efecto de campo sensible a los iones
  • en  ion-sensitive field effect transistor
  • en  ISFET

Ciències>Química>Química analítica, Enginyeria i arquitectura>Enginyeria elèctrica i electrònica>Electrònica, Enginyeria i arquitectura>Enginyeria elèctrica i electrònica>Tecnologia electrònica

Definició
Transistor d'efecte de camp en què l'electròlit, que conté ions, substitueix la porta de metall o de polisicili del transistor MOS.
  • ca  transistor de capa prima, n m
  • es  transistor de capa fina
  • en  thin film transistor

Enginyeria i arquitectura>Enginyeria elèctrica i electrònica>Tecnologia electrònica

Definició
Transistor d'efecte de camp en el qual el substrat és una capa prima, generalment de polisilici, en lloc d'un monocristall.
  • ca  transistor de pas, n m
  • es  transistor de paso
  • en  switch transistor

Enginyeria i arquitectura>Enginyeria elèctrica i electrònica>Tecnologia electrònica

Definició
Transistor utilitzat com a interruptor en el camí de senyal d'un circuit electrònic digital.