transistor bipolar de junció

La informació d'aquesta fitxa procedeix de l'obra següent:

UNIVERSITAT POLITÈCNICA DE CATALUNYA; TERMCAT, CENTRE DE TERMINOLOGIA; ENCICLOPÈDIA CATALANA. Diccionari de telecomunicacions [en línia]. Barcelona: TERMCAT, Centre de Terminologia, cop. 2017. (Diccionaris en Línia) (Ciència i Tecnologia)
<http://www.termcat.cat/ca/Diccionaris_En_Linia/235/>
Aquesta obra recull com a accepcions d'un sol terme els significats que tenen una mateixa denominació.

Les paraules marcades entre circumflexos (^) en l'interior d'una definició indiquen que es tracta de termes amb fitxa pròpia en el diccionari que poden ajudar a ampliar el significat d'aquella definició.

Per problemes tecnològics de representació gràfica, s'han suprimit del tot o en part algunes definicions. La informació completa es pot consultar a l'edició en paper d'aquesta obra.

ca transistor bipolar de junció, n m
ca BJT, n m sigla
es transistor bipolar de unión
es BJT sigla
en bipolar junction transistor
en BJT sigla

<Telecomunicacions > Tecnologia electrònica>

Definició

Dispositiu semiconductor de tres terminals, ^emissor^, ^base^ i ^col·lector^, utilitzat per a amplificar senyals en els circuits analògics o com a interruptor en els circuits digitals. Entre la base i l'emissor hi ha una junció PN emissora i entre la base i el col·lector una altra de col·lectora. L'emissor injecta portadors que poden arribar al col·lector després de travessar la regió de base. El corrent injectat és controlat pel corrent de base, que, en mode actiu, és molt més petit que el d'emissor. Hi ha dos tipus de transistors bipolars segons el dopatge de les seves regions: l'NPN i el PNP.

Nota

La sigla BJT correspon a la denominació anglesa bipolar junction transistor.